Micron e Intel hanno annunciato la disponibilità della tecnologia NAND 3D, memoria flash dalla densità più elevata finora disponibile sul mercato. Questa tipologia di memoria è quella tipicamente utilizzata all’interno dei notebook leggeri, nei data center e in quasi tutti i cellulari, i tablet e i dispositivi portatili.
La nuova tecnologia posiziona le celle di archiviazione dei dati in verticale e con la massima precisione rendendo disponibile più storage in meno spazio e permettendo di creare dispositivi di storage con capacità tre volte superiore rispetto alle tecnologie NAND concorrenti. A detta dei due produttori, altri vantaggi sono un risparmio significativo sui costi, consumi più bassi e prestazioni più elevate.
La memoria flash NAND planare si sta avvicinando ai limiti praticabili delle dimensioni, con sfide significative per il settore delle memorie. Le NAND 3D sono destinate ad esercitare un impatto notevole nel settore, mantenendo le soluzioni di storage flash allineate alla Legge di Moore, ossia il percorso per continuare ad incrementare le prestazioni e il risparmio dei costi, favorendone la diffusione.
Uno degli aspetti più interessanti è la cella di memoria di base. Intel e Micron hanno scelto di sfruttare una cella floating gate, un design perfezionato dopo anni di produzione in grandi volumi di memoria flash planare. È la prima volta che viene utilizzata una cella floating gate nella NAND 3D, una scelta di design cruciale che a detta delle due aziende permetterà di aumentare le prestazioni e incrementare qualità e affidabilità.
La tecnologia NAND 3D posiziona le celle flash in 32 livelli verticali per ottenere un die MLC (Multi Level Cell) da 256 Gb e un die TLC (Triple Level Cell) da 384 Gb che rientrano in un package standard. Queste capacità rendono possibile la creazione di unità SSD delle dimensioni di una gomma da masticare con oltre 3,5 TB di storage e unità SSD standard da 2,5 pollici superiori a 10 TB. Poiché la capacità si ottiene posizionando le celle in verticale, le dimensioni delle singole celle possono essere notevolmente più grandi; si prevede di ottenere in questo modo un aumento sia delle prestazioni che dell’efficienza, rendendo le architetture TLC adatte anche per lo storage dei data center.
La versione MLC da 256 Gb della NAND 3D è già in fase di campionamento presso partner selezionati, mentre il campionamento della versione TLC da 384 Gb inizierà più avanti in primavera. La linea di produzione della fab è già nelle fasi iniziali ed entrambi i dispositivi entreranno in piena produzione entro il quarto trimestre di quest’anno. Le due aziende stanno anche sviluppando singole linee di soluzioni SSD basate su tecnologia NAND 3D, con la disponibilità dei prodotti prevista entro il prossimo anno.
