Intel è riuscita solo da poco a trovare il modo per creare CPU con processo di produzione a 10nm ma aziende come Samsung e TSMC da tempo sono andate oltre (l’A14 prodotto per conto di Apple è il primo chip a 5 nanometri del settore, con vantaggi in termini di velocità, efficienza e durata della batteria). Samsung da tempo pensa ai 3nm e TSMC non sta a guardare: si vocifera che il nodo produttivo a 3nm si vedrà nel 2022 e ora anche di una svolta decisiva che permetterà di lavorare con un innovativo processo di produzione a 2 nm che le previsioni più ottimistiche prevedono per il 2023, con la produzione in volumi dal 2024.
TSMC ha riferito che, ancora una volta, tale svolta permetterà di allargare il divario con i competitor, sostenere ancora la legge di Moore e portare avanti ricerca e sviluppo verso il nodo a 1nm.
Con il processo produttivo a 2nm, riferisce il sito PatentlyApple, TSMC intende abbandonare la tecnologia FinFET (Fin Field Effect Transistor), evitare la produzione GAAFET (Surround Gate Field Effect Transistor) che vorrebbe sfruttare Samsung, ed estendere il design “MBCFET” (Multi-Bridge Channel Field Effect Transistor) che lavora sulle nanostrutture (nano-sheet) anziché sui nanofili (nanowire).
Passare dal design GAAFET al MBCFET e dai nanowire ai nanosheet, può essere considerato come un salto da bidimensionale a tridimensionale, un elemento che può migliorare notevolmente il controllo dei circuiti e ridurre l’incidenza delle perdite.
Stiamo parlando di miniaturizzazione estrema ma c’è già chi favoleggia di ulteriori passi avanti. Nel corso dell’ultima conferenza IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) si è parlato di 0,3 nanometri con materiali 2D autoassemblanti, nuovi materiali e design che permetteranno di ottenere processi che non riusciamo neanche ad immaginare.
