Toshiba ha annunciato lo sviluppo di un prototipo di memoria denominata STT-MRAM (Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory), una tipologia di RAM che usa il movimento angolare degli elettroni per determinare l’orientamento dei bit magnetici e che garantisce a detta del produttore maggiore efficienza rispetto ad altre tecnologie. Tutti i dispositivi elettronici digitali, compresi smartphone, tablet e PC si appoggiano a memorie cache ad alta velocità per fornire velocemente alla CPU i dati richiesti più frequentemente. La memoria cache (SRAM) è molto efficiente poiché non richiede refresh ed è ideale per archiviare dati temporanei consumando il meno possibile. Il problema della SRAM è che con il tempo questa è diventata un collo di bottiglia che impedisce migliorie in termini di prestazioni: ogni tentativo di miglioramento si è rivelato fino adesso controproducente, poiché al miglioramento corrispondono maggiori dispersioni di corrente e consumi.
Toshiba e altre aziende stanno lavorando da tempo sulle MRAM, memorie magnetoresistive ad accesso random in grado di abbattere la dispersione di corrente in standby; sfruttando questa tipologia di memorie Toshiba è riuscita a ottenere miglioramenti in termini di prestazioni e una riduzione dei consumi che arriva fino al 90%. Per la realizzazione delle STT-MRAM la società ha sfruttato un processo produttivo inferiore ai 30 nanometri e concepito circuiti nei quali la dispersione di corrente è zero sia nello standby, sia durante il funzionamento. La tecnologia potrebbe migliorare l’efficienza energetiche e le prestazioni dei futuri SoC (System On Chip). Al momento si tratta solo di prototipi e non chiaro se e quando la tecnologia verrà utilizzata in prodotti commerciali.
[A cura di Mauro Notarianni]
