Anche SanDisk annuncia memorie NAND Flash a 15 nanometri. Ricordiamo che la scorsa settimana abbiamo riportato l’annuncio dell’inizio della produzione di massa da parte di Toshiba delle prime memorie flash NAND a 15 nanometri, chip che garantiscono le stesse velocità di scrittura dei precedenti modelli a 19 nanometri, ma che introducono un sostanziale miglioramento per quanto riguarda prestazioni e transfer rate.
A distanza di pochi giorni anche SanDisk annuncia le proprie memorie NAND flash da 15 nanometri. La tecnologia di SanDisk, denominata 1Z, utilizza molte innovazioni di processo e avanzate soluzioni di progettazione delle celle per scalare i chip su entrambi gli assi. L’architettura All Bit Line (ABL) ideata dall’azienda, che contiene algoritmi di programmazione proprietari e schemi di gestione dell’archiviazione dei dati multi-livello, è stata implementata per realizzare nuove memorie NAND flash senza compromettere prestazioni o affidabilità.
Stando a quanto recentemente emerso, la produzione industriale di questi chip sarà avviata a partire dai mesi di giugno/luglio; questa nuova tecnologia sarà presto utilizzata in tutta la sua vasta gamma di soluzioni, dalle schede rimovibili agli SSD di livello enterprise.
