In queste ore Samsung ha svelato il suo primo modulo di memoria RAM LPDDR4 da 8 gigabit, 4 GB, che sarà destinato esclusivamente al mercato mobile. Costruito con un processo a 20 nanometri, il chip single-layer potrebbe portare il colosso a produrre smartphone e tablet con 4 GB di memoria RAM in un prossimo futuro, eclissando dispositivi attuali, come il Galaxy Tab 10.1 che utilizza ben 3 GB di RAM. Il nuovo chip, si specula già, potrebbe essere destinato al prossimo smartphone top di gamma di Samsung, ovvero il Galaxy S5.
Ogni modulo del nuovo chip può arrivare a contenere 1 GB di memoria, così che i quattro diversi strati accatastati all’interno arriverebbero ad offrire 4 GB di memoria. Ogni modulo riuscirà a fornire un rendimento superiore al 50 per cento rispetto al chip LPDDR3 o alla memoria DDR3, consumando il 40 per cento in meno di energia. Il modulo utilizza l’interfaccia I/O LVSTL, acronimo per Low Voltage Swing Terminated Logic interfaccia, capace di una velocità di trasferimento per pin di 3.200 Mbps, ossia il doppio rispetto al LPDDR3 DRAM attualmente in fase di produzione.
Oltre che negli smartphone con schermi sempre più grandi e nei tablet, Samsung sta cercando di impiegare il chip in futuri notebook ultra-sottili, anche se la produzione di questa nuova componente partirà solo nel 2014, senza che una data specifica sia stata ancora comunicata.
