Samsung ha annunciato di avere sviluppato una nuova DRAM GDDR6 (graphics double data rate) in grado di offrire un transfer rate di 24 gigabit al secondo (Gbps).
Una scheda video premium con integrati i chip in questione è in grado di supportare un data processing rate fino a 1.1 terabytes (TB), equivalente all’elaborazione di 275 film in risoluzione Full HD al secondo.
L’azienda sudcoreana riferisce che la DRAM in questione è formata da chip da 16GB creati con il suo nodo a 10nm di terza generazione, sfruttando anche la litografia EUV (Extreme Ultraviolet).
Samsung ha impiegato anche il metal gate high-k, un materiale che consiste in gate metallico al posto di un gate in silicio policristallino.
Secondo Samsung le nuove memorie sono in grado di operare con una velocità superiore del 30% rispetto alle precedenti DRAM GGDR6 da 18Gbps. Le DRAM fanno riferimento agli ultimi standard predisposti dal Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC), l’organismo di standardizzazione dei semiconduttori della Electronic Industries Alliance (EIA), permettendo ai vendor di acceleratori grafici e soluzioni per l’Intelligenza Artificiale di adottarle facilmente nei loro prodotti.
Samsung riferisce anche di avere impiegato il dynamic voltage switching per migliorare l’efficienza energetica della DRAM, consentendo di abbassa la tensione di lavoro fino a 1,1V rispetto ai precedenti 1,35V, elemento che dovrebbe permettere di migliorare la durata delle batterie nei notebook.
Samsung riferisce che nei prossimi mesi inizierà a testare le DRAM con un importante e non meglio specificato produttore di GPU. Samsung prevede una crescita a cifra doppia per il mercato delle DRAM ad alte prestazioni nei prossimi anni, riferendo che i chip in questione potranno essere sfruttati su PC, notebook e console da gioco, così come nell’ambito dell’high-performance computing, dei veicoli elettrici e dei veicoli a guida autonoma. Anche la sudcoreana SK Hynix è impegnata nella creazione di memorie GDDR6.
