Samsung Electronics ha annunciato di aver avviato la produzione in massa delle prime memorie NAND flash 3D verticali (V-NAND) grazie alle quali è possibile superare vari limiti delle attuali memorie NAND. Le memorie 3D consentono di ottenere miglioramenti in termini di performance, ridurre le dimensioni e potranno essere sfruttate in vari dispositivi destinati all’elettronica di consumo, incluse memorie NAND embedded e unità SSD.
Le nuove V-NAND offrono densità di 128 gigabit (Gb) su singolo chip, sfruttando un meccanismo proprietario, una struttura di celle verticali basata sulla tecnologia 3D Charge Trap Flash (CTF) e processi d’interconnessione verticale per il collegamento dell’array di celle 3D. L’applicazione di queste tecnologie permette uno scaling pari al doppio rispetto alle tradizionali memorie flash NAND.
Si comincia a parlare seriamente di 10 nanometri grazie ad approcci nelle circuiterie, strutture e produzioni che consentono nuovi livelli di miniaturizzazione. Per ottenere questo obiettivo, Samsung ha migliorato l’architettura CTF la quale non prevede l’utilizzo di un floating gate come nelle memorie tradizionali. Nei moduli CTF i dati sono conservati temporaneamente in una “camera di sospensione” (holding chamber) situata nel layer non conduttivo della memoria, un livello composto di nitrato di silicio (SiN). Il meccanismo comporta non solo una riduzione delle dimensioni del control gate ma anche una più elevata affidabilità e un miglior controllo della corrente per la memorizzazione dei dati.
A detta di Samsung le nuove memorie NAND offrono prestazioni con incrementi minimi che variano da 2x a 10x in termini di affidabilità; anche le performance in fase di scrittura sono il doppio rispetto alle tradizionali memorie NAND flash.
Dopo dieci anni di ricerca, Samsung detiene oltre 300 brevetti nel settore delle memorie 3D. Secondo IHS iSuppli, il mercato delle memorie flash tipo NAND passerà dai 23.6 miliardi di dollari del 2013 ai 30.8 miliardi di dollari in ricavi entro il 2016, con un tasso di crescita dell’11%, guidando globalmente l’intero mercato delle memorie.
