TSMC realizzerà i futuri chip “M2 Pro” e “M3” sfruttando un processo produttivo a 3nm. Lo afferma il sito taiwanese DigiTimes, spiegando che Apple avrebbe già prenotato il nodo produttivo da 3nm per i processori M2 Pro e M3, ed evidenziando la competizione in corso tra aziende quali TSMC e Samsung che lottano assicurarsi ordini di clienti che hanno bisogno delle uniche fonderie al mondo in grado di fornire un processo produttivo allo stato dell’arte ad un gran numero di clienti.
Nell’ultimo numero della sua newsletter “PowerOn”, Mark Gurman di Bloomberg prevede che gli M2 Pro saranno usati su futuri MacBook Pro 14″ e 16″ e un Mac mini top di gamma; per quanto riguarda l’M3, il redattore di Bloomberg ritiene plausibile l’arrivo su futuri MacBook Air da 13″, un MacBook Air da 15″, sui nuovi iMac e un non meglio precisato MacBook 12″.
Anche il chip M2 Max dovrebbe essere realizzato con nodi produttivi a 3nm, destinato a MacBook Pro top di gamma e macchine come future nuove varianti del Mac Studio.
Samsung, a quanto pare, sta facendo di tutto per essere la prima a proporre processori con tecnologia a 3nm e ha recentemente annunciato la produzione in serie di chip basati sulla tecnologia Gate-All-Around (GAA), destinata a soppiantare la tecnologia FinFET. Secondo quanto riferisce Business Korea, la tecnologia GAA permetterà di migliorare le performance, ridurre le dimensioni dei chip e ridurre il consumo di energia rispetto alla tecnologia field-effect transistor (FinFET). Obiettivo della fonderia di Samsung è dimostrare ai potenziali clienti di essere avanti rispetto a TSMC, scavalcando quella che è attualmente la più grande fabbrica indipendente di semiconduttori al mondo. Pochi mesi addietro erano emersi presunti problemi di TSMC con il processo produttivo da 3nm, con una resa inferiore a quella sperata. Non è chiaro se i presunti problemi di TSMC siano stati nel frattempo risolti. Tra i clienti di TSMC per il nodo a 3nm non c’è solo Apple ma anche Intel che potrebbe tornare battagliare ad armi pari con AMD in vari settori. Anche Samsung ha avuto qualche grattacapo con la tecnologia Gate-All-Around FET, problematiche che, evidentemente, ora sono state risolte.
Il nodo N3 di TSMC dovrebbe offrire guadagni in termin di di prestazioni dal 10 al 15% a parità di consumi e una riduzione dei consumi dal 25 al 30% a parità di prestazioni.
