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IBM e l’ITRI di Taiwan studiano le memorie RaceTrack

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Ad aprile di quest’anno, “Big Blue” ha annunciato di aver raggiunto un traguardo importante nel progetto Racetrack, che potrebbe portare alla creazione di dispositivi elettronici in grado di memorizzare, nella stessa quantità  di spazio, molti più dati di quanto sia possibile oggi, con tempi di boot fulminei, costi notevolmente ridotti e stabilità  e durabilità  senza precedenti. Il team di sviluppo congiunto, guidato dal Dr. Parkin e dal Dr. Ian Chan, Vice President di ITRI, studierà  nuovi materiali e nuove strutture per la memoria RaceTrack, che potrebbero portare a un cambiamento paradigmatico nelle tecnologie di storage e di memoria.

La memoria Racetrack, così denominata perché i dati “corrono” all’interno di una “pista” realizzata con un nanoconduttore, potrebbe consentire di realizzare dispositivi elettronici “solid state” – senza parti mobili, quindi più durevoli – in grado di contenere molti più dati, nella stessa quantità  di spazio, di quanto non sia possibile oggi. Ad esempio, questa tecnologia potrebbe consentire a un dispositivo palmare, ad es. un lettore mp3, di memorizzare circa 500.000 canzoni o circa 3.500 film – 100 volte in più rispetto alle possibilità  attuali, con costi e consumo di alimentazione molto ridotti. I dispositivi non solo sarebbero in grado di memorizzare molte più informazioni nello stesso spazio, ma richiederebbero anche molta meno potenza, genererebbero molto meno calore e sarebbero praticamente indistruttibili. Il risultato: enormi quantità  di storage personale in grado di funzionare con la carica di una singola batteria per settimane, e di conservare dati per decenni.

La memoria “spintronica” promette un dispositivo di storage con memoria non volatile, capacità  e prestazioni elevate, basso consumo energetico. Questo approccio memorizza i dati all’interno di nanoconduttori magnetici sotto forma di pareti tra “domini” cioè regioni con magnetizzazione opposta. In ogni “pista” vengono memorizzate un elevato numero di pareti dei domini, consentendo un’altissima densità  di dati e quindi una riduzione dei costi, pari a quelli della memoria FLASH se realizzata con piste orizzontali e potenzialmente con costi pari a quelli degli hard disk magnetici se realizzata con piste verticali. I dati all’interno di ciascuna Racetrack vengono letti e scritti spostandoli verso gli elementi di lettura e scrittura. Di recente è stato mostrato che brevi impulsi di corrente polarizzata possono essere utilizzati per spostare, in modo controllato, una sequenza di pareti dei domini avanti e indietro lungo una pista * il principio di base chiave di questo nuovo tipo di memoria.

[A cura di Mauro Notarianni]

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