IBM: Phase Change Memory è il 70% più veloce degli SSD arriva nel 2017

Forse ci siamo davvero: da anni tutti i principali colossi della tecnologia studiano Phase Change Memory, una nuova tecnologia in grado di offrire sensibili miglioramenti per la memorizzazione dei dati ma ora secondo IBM la tecnologia non solo è pronta ma diventerà presto un successo commerciale, forse già a partire dall’anno prossimo.

I progressi di IBM sulle Phase Change Memory, siglate PCM, sono stati presentati ieri da Haris Pozidis, ricercatore IBM durante un evento svoltosi a Parigi, come riporta Cnet. Il colosso IT ha annunciato di aver individuato una soluzione in grado di ospitare 3 bit di dati in una singola cella, soluzione che riduce i costi e rende la tecnologia competitiva rispetto alle soluzioni attuali.

La conservazione dei dati avviene riscaldando uno speciale materiale vetroso che raffreddandosi gradualmente crea una struttura cristallina, in grado di trasmettere energia, corrispondente all’informazione 1 in bit. Viceversa il raffreddamento rapido genera una struttura amorfa meno conduttiva corrispondente all’informazione zero in bit.

Il ricercatore IBM ha dichiarato che Phase Change Memory è più veloce di circa il 70% rispetto alle memorie Flash oggi impiegate nelle chiavette e anche nelle più veloci unità SSD, e circa 10 volte più lente rispetto alle velocissime memorie DRAM. Ma la vera novità, oltre al miglioramento tecnologico, è che le memorie PCM diventeranno più economiche delle DRAM per poi raggiungere un prezzo ancora più contenuto, in linea con la tecnologia Flash. Se tutte queste previsioni di IBM si confermeranno esatte potremmo ammirare i primi dispositivi PCM già nei computer e negli smartphone dell’anno prossimo.