Durante la conferenza annuale IEDM svoltasi negli scorsi giorni a San Francisco dedicata a micro e nanoelettronica, IBM e Samsung hanno presentato una nuova tecnologia per la progettazione di semiconduttori battezzata con la sigla VTFET, dalle iniziali di Vertical Transport Field Effect Transistors.
Attualmente la tecnologia più impiegata per costruire chip e processori è quella FinFET con la quale i transistor sono disposti in piano sulla superficie del silicio e la corrente elettrica scorre di lato tra un transistor e l’altro. Al contrario con la nuova tecnologia sviluppata da IBM e Samsung i transistor ad effetto di campo a trasporto verticale VTFET vengono impilati in verticale all’interno del chip e la corrente elettrica si muove nello stessa direzione.
Secondo i due colossi questa nuova progettazione ha due vantaggi principali. Il primo è che permetterà di superare diverse limitazioni nelle prestazioni per estendere la Legge di Moore oltre la tecnologia nanosheet di IBM. In secondo luogo la tecnologia VTFET riduce sensibilmente lo spreco di energia grazie al maggior flusso di corrente. IBM e Samsung dichiarano che grazie ai transistor realizzati con tecnologia VTFET sarà possibile costruire processori due volte più veloci, oppure che impiegano l’85% in meno di energia rispetto a quelli realizzati con la tecnologia FinFET oggi più diffusa.
Tra le possibilità aperte dalla nuova tecnologia la possibilità di creare in futuro smartphone in grado di raggiungere una autonomia di una settimana con una singola carica, oppure anche la sensibile riduzione dei consumi di energia per attività ad alta intensità di calcolo, inclusa la generazione di criptovalute. IBM e Samsung precisano che la tecnologia VTFET può essere impiegata anche per chip con densità maggiore di un nanometro, ma non hanno annunciato la data di inizio commercializzazione.
Anche Intel sta lavorando per superare il limite di un nanometro: il colosso dei processori di Santa Clara conta di finalizzare la progettazione di chip in scala angstrom, pari a 0,1 micron entro il 2024
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