Hynix Semiconductor ha annunciato di aver cominciato a sviluppare moduli di memoria da 2Gb(Gigabit) DDR4 DRAM e moduli SO-DIMM DDR4 da 2GB(Gigabyte) con funzionalità ECC (Error Check & Correction) con un procedimento da 30nm. I moduli DDR4 sono la prossima generazione di memorie e dovrebbero garantire velocità doppie rispetto ai moduli DDR3 attuali, funzionando con velocità fino a 2400Mbps (Megabits per secondo), circa l’80% in più rispetto alle memorie RAM DDR3 che consentono di ottenere velocità di 1333Mbps. I moduli DDR4 possono operare a voltaggi inferiori (1.2V) ed elaborare fino a 19.2GB (Gigabytes) di dati al secondo con un I/O a 64-bit. Le nuove memorie entreranno in produzione nella seconda metà del 2012. Secondo una ricerca di mercato di iSuppli, le richieste di DRAM DDR4 passeranno dal 5% del 2013 per arrivare a oltre il 50% nel 2015. Il picco della richiesta di RAM DDR3 avverrà nel 2012, con il 71% del mercato totale, scendendo fino al 49% nel 2014.
La prima azienda a battere tutti è stata ad ogni modo Samsung: a gennaio di quest’anno è stata la prima ad annunciare un modulo DIMM DDR4 da 2GB con frequenza di 2133 MHz. La memoria è stata prodotta con processo produttivo a 30 nanometri e opera con una tensione di 1,2 volt. I moduli DDR4 sono standardizzati dallo JEDEC, l’organismo di standardizzazione dei semiconduttori della Electronic Industries Alliance (EIA), associazione che rappresenta tutte le aree dell’industria elettronica e il NEMA (National Electrical Manufacturers Association).
[A cura di Mauro Notarianni]
