Toshiba Memory America (TMA), sussidiaria di Toshiba Memory Corporation, ha annunciato di avere sviluppato il prototipo di una BiCS FLASH con 96 layer, memorie flash 3D, con tecnologia 4-bit-per-cell (quad level cell, QLC). Quanto ottenuto è considerato una “pietra miliare” dall’azienda, un elemento che consentirà di potenziare la capacità di memoria per singolo-chip ai massimi livelli di sempre.
La nuova memoria QLC BiCS FLASH espande significativamente la capacità grazie a 4 bit per cella permettendo di ottenere la capacità massima nel settore di 1.33 terabit su un singolo chip, sfruttare l’architettura con 16-die impilati in un singolo package e arrivare quella che viene definita “un’impareggiabile capacità” di 2.66 terabytes
Annunciate per la prima volta nel giugno del 2007, le memorie flash 3D hanno continuato ad evolversi, crescendo in termini di capacità di archiviazione. BiCS4 è stata sviluppata nell’impianto di Yokkaichi in Giappone, luogo simbolo della joint venture produttiva tra Western Digital e Toshiba Memory Corporation. Western Digital ha fatto sapere che sfrutterà questa tecnologia (In questo momento si è nella fase di sampling) e comincerà a creare prodotti consumer con il marchio SanDisk entro la fine dell’anno. WD ha ancora una partnership con Tohiba nonostante l‘acquisizione di quest’ultima da parte di Bain Capital, il consorzio di cui fanno parte Apple, Dell, Seagate e Kingston.
Altri dettagli e un prototipo saranno mostrati nel corso del Flash Memory Summit 2018 che si svolgerà a Santa Clara, California, tra il 6 e il 9 agosto. Altri dettagli a questo indirizzo.
