Intel, il cui marchio un tempo era quasi un sinonimo di processore, con la dominanza dei dispositivi mobili e una debolezza strutturale in questo ambito, ha perso molto del suo smalto ma ora forte di brevetti e di tecnologie vuol tornare protagonista e sfidare il mercato. L’occasione è offerta da Intel 18A (1.8nm-class) e Intel 20A (2nm-class), due piattaforme che con la loro circuiteria estremamente affinata potrebbero rilanciare il produttotre nel nuovo mondo fatto di smarphone ed Internet Of Things.
Wang Rui, presidente e direttore di Intel China, ha riferito nel corso di un evento che l’azienda ha completato lo sviluppo dei processi produttivi Intel 18A (classe 18 angstrom) e 20A (classe 20 angstrom). Non significa che i nodi sono già pronti per la produzione commerciale ma che sono state definite specifiche, materiali, requisiti e target in termini di performance. Si tratterebbe di circuiti estremamente capaci di concorrere tecnologicamente con i processori delal Mela da 3 nanometri, un passaggio importante quello di Intel visto che Apple potrebbe anche essere l‘unica azienda al mondo ad avere simili processori nel 2023, lanciando indietro tutte le altre.
Il processo produttivo 20A è incentrato intorno al RibbonFET, l’implementazione di Intel di un transistor con gate su tutti i lati, la prima nuova architettura di transistor dell’azienda da quando ha introdotto FinFET nel 2011.
La Casa di Santa Clara ha già in precedenza spiegato che questa tecnologia offre velocità di commutazione dei transistor più elevate a parità di corrente di azionamento rispetto a chip con molteplici alette, ma con un ingombro più ridotto. Una tecnologia denominata PowerVia ottimizza inoltre la trasmissione del segnale eliminando la necessità far passare l’alimentazione al lato anteriore del wafer.
Nelle intenzioni del produttore, Intel 20A dovrebbe permettere al di scavalcare le fonderie di concorreti quali TSMC che è il partner di Apple sui processori sia della serie A che dalla serie M, oltre a Samsung.
Bisogna ad ogni modo ricordare che Intel sfrutta un “trucco” nella nomenclatura: l’attuale Intel 7 è un processo produttivo a 10nm, anche se la densità dei transistor è leggermente più elevata di quella offerta da TSMC con il suo processo a 7 nanometri; i futuri nodi 20A e 18A dovrebbero corrispondere a 5nm il primo e 5nm++ il secondo, quest’ultima densità paragonabile a quella ai futuri 2nm di TSMC.
Intel prevede di usare il nodo 18A per la prima metà del 2024, affinando poi ulteriormente le tecnologie RibbonFET e PowerVia, così come le dimensioni dei transistor. Successivamente, per l’inizio del 2025, sono previsti perfezionamenti a RibbonFET che dovrebbero offrire un ulteriore importante salto nelle prestazioni dei transistor.
Intel collabora con il partner olandese ASML (al quale ha ordinato il rimo sistema TWINSCAN EXE:5200 del settore) e supera le attuale generazione dei sistemi di produzione EUV, in grado di lavorare centinaia di wafer all’ora.
Tutti gli articoli che parlano di Intel sono disponibili qui. Tutti gli articoli di macitynet che parlano di Finanza e Mercato sono disponibili ai rispettivi collegamenti.
