Si chiama Alverston ed è il primo chip di memoria a cambiamento di fase entrato in preproduzione alla Intel. A presentare la componente, destinata a cambiare l’orizzonte delle memorie fondendo la capacità di mantenere il contenuto anche senza corrente delle Flash e la velocità delle Ram, è stato Justin Rattner.
Alverston arriva dopo una camera di incubazione durata 30 anni, tra le più lunghe mai registrate per una tecnologia legata al mondo IT, e non fa certo gridare al miracolo per la capacità del primo sample: solamente 128 Mbit, corrispondenti a 16 MB. Decisamente pochi se paragonati alle incredibili capacità oggi disponibili anche per le più piccole schede di memoria Flash pronte per essere inserite in cellulari e fotocamere digitali. Ma quello che conta è che si tratta di una tecnologia rivoluzionaria per la realizzazione di memorie non voltatili, cioè in grado di conservare i dati anche in assenza di alimentazione. Se le memorie a cambiamento di fase riusciranno ad approdare a sistemi di produzione su larga scala a costi contenuti, Intel è convinta che tutta l’attuale gerarchia nel mondo delle memorie per PC verrà completamente stravolta. Per avere un quadro globale basti pensare che le nuove memorie a cambiamento di fase sono in grado di offrire velocità di accesso ai dati fino a 500 volte superiori a quelle delle attuali memorie Flash. Inoltre, mentre le attuali memorie Flash alla base di tutti i formati di schede di memoria e chiavi USB garantiscono processi di lettura e scrittura nell’ordine delle migliaia di volte, le future memorie a stato variabile sono garantite per supportare la cancellazione e la memorizzazione dei dati per cicli nell’ordine del milione di cicli. Questo dettaglio ha ripercussioni fondamentali nella longevità del supporto e sulla sua affidabilità nel tempo.
Ecco una descrizione semplificata sul funzionamento interno delle memorie a stato variabile presentate da Intel.
Il materiale è simile a quello utilizzato per i CD: ogni chip è suddiviso in numerose piccole celle. Il materiale che compone ogni singola cella passa allo stato cristallino se viene sottoposto a calore. In questo modo quando una luce utilizzata per il processo di lettura colpisce la cella in questione, la quantità di luce riflessa è interpretata come 1 nella numerazione binaria. Sottoponendo ancora una volta la cella prima al calore e successivamente lasciandola raffreddare, il materiale diventa amorfo e in fase di lettura da parte del computer questo stato significa zero, sempre in linguaggio binario. Così lo stato amorfo corrispondente a 0 e quello scristallino interpretato come uno, sono in grado di conservare, scrivere e leggere informazioni sotto forma di bit.
La memoria a cambiamento di fase è sempre stata pensata come sostituto delle memoria Flash. Anche se in questi anni i costi delle schede e delle chiavi di memoria Flash continuano a diminuire, mentre la capacità cresce sensibilmente, molti ricercatori ritengono che le proprietà e la struttura tipici della memoria Flash porteranno a un rallentamento dei progressi, previsto per la prossima decade. Più precisamente i ricercatori concordano nel ritenere che i progressi nel campo delle memorie Flash raggiungeranno il limite fisico intrinseco quando il processo costruttivo sarà a 4 o 35 nanometri.
Intel ha sviluppato la tecnologia delle memoria a stato variabile insieme a ST Microelectronics, inoltre la consegna dei primi sample ai costruttori e ai partner è prevista entro la prima metà di quest’anno.
[A cura di L. M. Grandi]
