E’ nata BiCS5, la tecnologia 3D NAND Western Digital di quinta generazione. In base a quanto recentemente annunciato dalla società, entro la seconda metà dell’anno verrà avviata la produzione industriale delle nuove memorie flash con tale tecnologia, che prevede importanti potenziamenti dal punto di vista della capacità, delle prestazioni e dell’affidabilità.
L’obiettivo è fornire prodotti in grado di supportare il movimento dei dati all’interno di auto connesse, smartphone di nuova generazione e più in generale tutti quei prodotti che saranno dotati di intelligenza artificiale e richiederanno le più recenti tecnologie dal punto di vista dell’archiviazione.
Come spiegato da Steve Paak di Western Digital, questa nuova tecnologia fa leva sui recenti progressi nel segmento delle memorie hole multi-strato e va ad aumentare la densità lungo la direzione orizzontale degli array della cella di memoria attraverso il wafer.
Questi avanzamenti di “scaling laterali” in combinazione con 112 livelli di capacità di memoria lungo la direzione verticale consentono a BiCS5 di offrire fino al 40% in più di bit di capacità di archiviazione per wafer rispetto alla tecnologia di Western Digital BiCS4 a 96-layer, ottimizzando al contempo i costi.
Nuovi miglioramenti nel design accelerano anche le prestazioni, consentendo a BiCS5 di offrire fino al 50% di performance I/O più veloci rispetto al BiCS4 senza compromettere l’affidabilità delle memorie flash.
Questa nuova tecnologia è stata sviluppata insieme a Kioxia Corporation e sarà prodotta in massa a partire dalla seconda metà dell’anno negli stabilimenti della joint venture di Yokkaichi (nella Prefettura di Mie in Giappone) e nella città di Kitakami, nella Prefettura di Iwate in Giappone.
