Toshiba ha annunciato lo sviluppo della prima memoria flash NAND al mondo a 16 die (max) in stack usando la tecnologia Through Silicon Via (TSV). Il prototipo sarà mostrato al Flash Memory Summit 2015 che si terrà a Santa Clara, Stati Uniti, dall’11 al 13 agosto.
Le precedenti memorie flash NAND in stack sono collegate con fili metallici in un pacchetto. La tecnologia TSV utilizza invece gli elettrodi e collegamenti verticali per passare attraverso i livelli di silicio per il collegamento. TSV permette di ottenere data rate in I/O di oltre 1Gbps, valore superiore rispetto ad altre memorie flash NAND, sfruttando il basso voltaggio di 1.8V per i circuiti core e 1.2V per i circuiti di I/O, con un risparmio di circa il 50% nelle operazioni di scrittura, lettura e trasferimenti I/O. Il produttore afferma che le nuove memorie NAND flash sono ideali per soluzioni che richiedono bassa latenza, grande larghezza di banda e grandi velocità di IOPS/Watt.
